در این پژوهش از روش شیمیایی هیدروترمال برای سنتز نانوذرات دی سولفید مولیبدن خالص و آلاییده شده با مس استفاده شد. برای شناسایی نانوذرات از طیف سنج تبدیل فوریه فروسرخ، پراش سنج پرتو ایکس، طیف سنج جذبی UV-Vis و آنالیز TEM استفاده شد. طیف تبدیل فوریه فروسرخ به خوبی تشکیل پیوند MoS2خالصوآلاییده شده را نشان می دهد. نتایج طرح های پراش پرتو x، تشکیل ساختار بلوری و تک فاز بودن نمونه های سنتز شده را تایید کردند و همچنین از پهن شدگی قله های XRDو تصاویر TEM، نانوساختار و نانوورقه های دی سولفید مولیبدن تایید شد. می توان نتیجه گرفت که با نشاندن مس در ساختار بلوری (که در جایگاه بین شبکه ای قرار گرفته است) مکان قله ها فقط تا حدود جزیی جابه جا شده است. تخریب رنگ متیلن بلو به وسیله نانوذرات با تحریک نور فرابنفش به خوبی صورت گرفت که این تخریب به وسیله نمونه آلاییده شده با مس تا حدود 95 درصد است.

استفاده از روش های هیبریدی تشخیصی و یا تشخیصی-درمانی در کنار هم، فرآیند تشخیص و درمان سرطان را تسریع و تسهیل کرده است و در کاهش مرگ و میر بیماران نقش به سزایی دارد. در این راستا فناوری نانو با ادغام نانو مواد و بهرمندی از توانمندی های مختلف آن ها، از جمله خواص نوری و مغناطیسی در کنار هم، پیشرو بوده است. در این پژوهش نقاط کوانتومی گرافن اکساید آلاییده با اتم های گوگرد و گروه های مغناطیسیGO@S-Fe3O4 ، به صورت ساده و تک مرحله ای ساخته شدند. مشخصه یابی نقاط کوانتومی GO@S-Fe3O4 با آنالیزهای میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)، پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی فروسرخ  (FTIR)، طیف سنجی UV-Vis و مغناطیس سنجی نمونه ارتعاشی (VSM) انجام شد. سپس، نقاط کوانتومیGO@S-Fe3O4 با استفاده از [68Ga]GaCl3 با خلوص بالا، نشان دار شدند. خلوص رادیوشیمیایی و پایداری نانوذرات 68Ga@GO@S-Fe3O4 با استفاده از کروماتوگرافی لایه نازک رادیواکتیو انجام شد. مطالعات زیستی (In-vivo) با تزریق داخل وریدی نانوچندسازه 68Ga@GO@S-Fe3O4 به موش های حامل تومور انجام شد. برای بررسی نحوه ی توزیع رادیو دارو در ارگان ها و تومور، تصویربرداری توموگرافی نشر پوزیترون (PET) انجام شد. بیش ترین جذب در تومور در 30 دقیقه بعد از تزریق، از طریق ورید دمی، مشهود است که به دلیل تمایل نانوذرات 68Ga@ Fe3O4@GO به جذب در تومور است.

در این پژوهش، خواص اپتیکی لایه نازک اکسید روی آلاییده با آلومینیوم (AZO) و لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ITO) بر زیرلایه شیشه و زیرلایه پلیمری انعطاف پذیر (پلی اتیلن) PET بررسی شد. سپس فیلترهای فوق با یکدیگر مقایسه شدند. هدف این پژوهش، به دست آوردن لایه بهینه با مقاومت ویژه کمینه و شفافیت مناسب در ناحیه طول موج مریی است. در لایه نشانی های AZO و ITO، برای افزایش قابلیت عبور، دو نوع پوشش ضدانعکاسی برای اهداف کاربردی مختلف، با استفاده از نرم افزار لایه نشانی مکلیود، طراحی شده است. برای دو نوع لایه نشانی، بالاترین میزان عبور در ناحیه مریی (400 تا 700 نانومتر) به ترتیب برای لایه نشانی های AZO، 01/98 و 41/95 درصد و برای لایه نشانی های ITO، 85/81 و 45/79 درصد شد. همچنین با تغییر زیرلایه از شیشه به زیرلایه پلیمری برای تک لایه های AZO و ITO، نه تنها میانگین درصد عبور نور افزایش یافت بلکه نواخت تغییرات درصد عبور نور به طول موج کمتر بود. برای دو نوع پوشش ضدانعکاسی لایه نشانی های AZO و ITO، نیز با تغییر زیرلایه از شیشه به PET، بیشترین میزان عبور در ناحیه مریی (400 تا 700 نانومتر) به ترتیب برای لایه نشانی های AZO به 87/97 و 18/96 درصد و برای لایه نشانی های ITO به 23/82 و 04/80 درصد رسید.

در این تحقیق، لایه های نازک نانوساختار اکسید قلع خالص و آلاییده شده با فلز روی به روش لایه نشانی اشعه الکترونی لایه نشانی شدند. پراش اشعه ایکس از لایه های نازک ایجاد شده وجود اکسید قلع آمورف با ترکیب شیمیایی (SnO2) را نشان داد. سیکل عملیات حرارتی در دمای 500oC و به مدت 10 ساعت بر روی فیلم های نازک تشکیل شده انجام شد که منجر به ایجاد ساختار تتراگونال دی اکسید قلع (SnO2) نانوساختار شد. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) نشان دادند که مورفولوژی فیلم های نازک ایجاد شده بعد از لایه نشانی بسیار صاف و ریز می باشد، اما با اعمال عملیات حرارتی بر روی آنها مورفولوژی فیلم ها به تدریج خشن می شود. علاوه بر این تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان دادند که ساختار فیلم های نازک ایجاد شده همگن و فشرده می باشد. همچنین نقشه عنصری از فیلم های نازک، توزیع همگن عنصر روی در ساختار دی اکسید قلع را اثبات کرد. در انتها ارزیابی الکتروشیمیایی لایه های نازک دی اکسید قلع خالص و آلاییده شده به عنوان آند به صورت گالوانواستاتیکی در محدوده پتانسیل صفر تا 1.7 ولت انجام شد. نتایج نشان دادند که در طول فرآیند شارژ/ دشارژ ظرفیت ویژه لایه های نازک اکسید قلع خالص از 69.5 mAhcm-2mm-1 به 137.6 mAhcm-2mm-1 برای لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با فلز روی افزایش می یابد.